南阳超高压瓷片电容器陶瓷电容器

    陶瓷电容陶瓷电容器是以陶瓷为介电质的电容器。其结构是由二层或更多层交替出现的陶瓷层和金属层所组成，金属层连结到电容器的电极。陶瓷材料的成分决定了陶瓷电容器的电气特性及其应用范围，依稳定性可分为以下三类：Class1陶瓷电容器：有高稳定性和低损失，适用于谐振电路的应用。Class2陶瓷电容器：其容积效率高，但稳定性及准确度较差，适用于缓冲、解耦及旁路电路。Class3陶瓷电容器：其容积效率更高，但其稳定性及准确度更差。陶瓷电容器是电子设备中*常使用的电容，每年的产量约为一兆颗[1]。其中*常用的是积层陶瓷电容器（MLCC），且有采用表面安装技术的元件。陶瓷电容上会印有三位数的编码标示其电容值，前二个数字标示容值*高的二位数，*后一数字则标示10的次方，其单位为皮法拉（pF）。数字后会有一个字母标示其电容允差范围[4]。B±pFC±pFM±**±pFP+100−0%J±5%Y−20+50%K±10%Z−20+80%例：一陶瓷电容标示104K，表示其容值为10×104pF=100,000pF=100nF=µF±10%EIA也有针对电容的温度系数有三个字的识别码。对于不是Class1的非温度补偿型电容，第yi个字对应工作温度的下限，第二个字为数字，对应工作温度的上限。Y1Y2安规电容器_高电压陶瓷电容器-海视达电子。南阳超高压瓷片电容器陶瓷电容器

    又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜，使电容器边缘表面电晕放电电压xian著下降，工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。边缘表面极间飞弧击穿的主要原因是，介质留边量较小，在潮湿环境中工作时的银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间，所以在耐压试验初期，失效模式以介质击穿为主，直到试验500h以后，只要失效模式才过度为边缘表面极间飞弧击穿。4.电极材料的改进陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极，在陶瓷基片上采用化学镀镍工艺。由于镍的化学稳定性比银好，电迁移率低，提高了陶瓷电容器的性能和可靠性。又如，以银做电极的独石低频瓷介质电容器，由于银电极和瓷料在900℃下一次烧结时瓷料欠烧不能获得致密的陶瓷介质，存在较大的气孔率；此外银电极常用的助溶剂氧化钡会渗透到瓷体内部，在高温下依靠氧化钡和银之间良好的浸润“互熔”能力，使电极及介质内部出现热扩散现象。南阳超高压瓷片电容器陶瓷电容器陶瓷电容|瓷片电容|安规陶瓷电容器-苏州海视达电子厂家直销。

    三种常见的陶瓷电容器及其特点陶瓷电容器是以陶瓷材料为介质的电容器的总称，品种繁多，外形尺寸相差甚大。按使用电压可分为高压，中压和低压陶瓷电容器。按温度系数，介电常数不同可分为负温度系数、正温度系数、零温度系数、高介电常数、低介电常数等。一般陶瓷电容器和其他电容器相比，具有使用温度较高，比容量大，耐潮湿性好，介质损耗较小，电容温度系数可在大范围内选择等优点。广fan用于电子电路中，用量十分可观。本文将介绍三种常见的陶瓷电容器及其特点。1、半导体陶瓷电容器的特点表面层陶瓷电容器，电容器的微小型化，即电容器在尽可能小的体积内获得尽可能大的容量，这是电容器发展的趋向之一。对于分离电容器组件来说，微小型化的基本途径有两个：使介质材料的介电常数尽可能提高；使介质层的厚度尽可能减薄。在陶瓷材料中，铁电陶瓷的介电常数很高，但是用铁电陶瓷制造普通铁电陶瓷电容器时，陶瓷介质很难做得很薄。首先是由于铁电陶瓷的强度低，较薄时容易碎裂，难于进行实际生产操作，其次，陶瓷介质很薄时易于造成各种各样的组织缺陷，生产工艺难度很大。2、高压陶瓷电容器随着电子工业的高速发展。

    自发极化在一定温度范围内、单位晶胞内正负电荷中心不重合，形成偶极矩，呈现象极性。这种在无外电场作用下存在的极化现象称为自发极化。当施加外界电场时，自发极化方向沿电场方向趋于一致；当外电场倒向，而且超过材料矫顽电场值时，自发极化随电场而反向；当电场移去后，陶瓷中保留的部分极化量，即剩余极化。自发极化与电场间存在着一定的滞后关系。它是表征铁电材料性质的必要条件。铁电陶瓷、压电陶瓷，如钛酸钡晶体BaTiO3等具有自发极化。利用材料的这种性质，可制作电子陶瓷，如电容器及敏感元器件。所谓极化（Poling），就是在压电陶瓷上加一强直流电场，使陶瓷中的电畴沿电场方向取向排列，又称人工极化处理，或单畴化处理。为了使压电陶瓷处于能量（静电能与弹性能）比较低状态，晶粒中就会出现若干小区域，每个小区域内晶胞自发极化有相同的方向，但邻近区域之间的自发极化方向则不同。自发极化方向一致的区域称为电畴，整块陶瓷包括许多电畴如图所示。极化前，各晶粒内存在许多自发极化方向不同的电畴，陶瓷内的极化强度为零，如图（a）所示。极化处理时，晶粒可以形成单畴，自发极化尽量沿外场4方向排列，如图(b)所示。极化处理后，外电场为零。海视达电子安规电容器,现货供应，产品选择多。

    坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。（4）烧成工艺应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。（5）包封包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。为提高陶瓷电容器的击穿电压，在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉，可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能，如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉，可使该电容器在直流电场下的；蕾穿电压提高；在交流电场下的击穿电压提高。[2]陶瓷电容器多层陶瓷电容器多层陶瓷电容器（MultilayerCeramicCapacitor，MLCC）是片式元件中应用*广fan的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品。安规电容器--海视达电子_专业研发_技术成熟_品质高。石家庄陶瓷电容器制定

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    高压薄膜电容器与高压陶瓷电容器的区别1、高压陶瓷电容的使用寿命更长薄膜电容的寿命也就是三两年，电好的产品也不会超出5年。而高压陶瓷电容器则不同，比方说帝科电容就公开承诺：按20年设计，至少保证使用10年。2、高压陶瓷电容的内阻更小这是由各自的构造特点决定的。高压陶瓷电容器的内阻很小，而薄膜电容器由于是采取卷绕方式，这样就造成内阻偏大。而这种偏大的内阻带来的另一负面影响就是，电容在反复充放电的过程中，内阻会继续变大，并且会在一定时候使电容在电路中失效。3、相对而言高压陶瓷电容器的电压更高薄膜电容器的电容相对来讲，工作电压是不如陶瓷电容的高，这是共识；4、从容量分析，高压陶瓷电容的容量较小，薄膜电容的容量较大。陶瓷电容相比薄膜电容的优势1、高压陶瓷电容器的尺寸更小。以同样电压等级的一个产品为例。如果要做一颗容量为1NF，工作电压为10KVAC的高压电容器，如果用高压陶瓷电容器来生产。可以有好几个选择：比方说以Y5U材质来生产，*终产品直径为，厚度，直径16MM，厚度。但是，如果以高压薄膜电容来生产，尺寸，厚度和高度都将大出很多，无法满足实际应用要求。2、高压陶瓷电容器和高压薄膜电容器的电压等级不在同一个档次上。南阳超高压瓷片电容器陶瓷电容器

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