南阳高压取能瓷片电容器陶瓷电容器

陶瓷电容器是以陶瓷为介电质的电容器。其结构是由二层或更多层交替出现的陶瓷层和金属层所组成，金属层连结到电容器的电极。陶瓷材料的成分决定了陶瓷电容器的电气特性及其应用范围，依稳定性可分为以下三类：Class 1 陶瓷电容器：有高稳定性和低损失，适用于谐振电路的应用。Class 2 陶瓷电容器：其容积效率高，但稳定性及准确度较差，适用于缓冲、解耦及旁路电路。Class 3 陶瓷电容器：其容积效率更高，但其稳定性及准确度更差。陶瓷电容器是电子设备中*常使用的电容，每年的产量约为一兆颗。其中*常用的是积层陶瓷电容器（MLCC），且有采用表面安装技术的元件。

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    渗入电容器内部的水分子产生电解。在阳极产生氧化反应，银离子与氢氧根离子结合生产氢氧化银；在阴极产生还原反应，氢氧化银与氢离子反应生成银和水。由于电极反应，阳极的银离子不断向阴极还原成不连续金属银粒，靠水膜连接成树状向阳极延伸。银离子迁移不仅发生在无机介质表面，还能扩散到无机介质内部，引起漏电流增大，严重时可使用两个银电极之间完全短路，导致电容器击穿。离子迁移可严重破坏正电极表面银层，引线焊点与电极表面银层之间，间隔着具有半导体性质的氧化银，使无介质电容器的等效串联电阻增大，金属部分损耗增加，电容器的损耗角正切值显着上升。由于正电极有效面积减小，电容器的电容量会因此而下降。表面绝缘电阻则因无机介质电容器两电极间介质表面上存在氧化银半导体而降低。银离子迁移严重时，两电极间搭起树枝状的银桥，使电容器的绝缘电阻大幅度下降。综上所述，银离子迁移不仅会使非密封无机介质电容器电性能恶化，而且可能引起介质击穿场强下降，后导致电容器击穿。值得一提的是：银电极低频陶瓷独石电容器由于银离子迁移而引起失效的现象，比其他类型的陶瓷介质电容器严重得多，原因在于这种电容器的一次烧成工艺与多层叠片结构。上海陶瓷电容器工业采购安规电容器选海视达电子有限公司。

    也就是说10μF的电容量在额定电压时*为不到μF！在高温时由于电容量已经下降到很低，所以这时的电容量随直流偏置电压的变化不大。X7R介质电容器的电容量随直流偏置电压变化虽比较大，但是比Y5V好得多。陶瓷电容器所允许加载的交流电压与电流同频率的关系主要受电容器的ESR影响；相对而言，C0G的ESR比较低，故可以承受比较大的电流，相应的所允许施加的交流电压相对比较大；X7R、X5R、Y5V、Z5U则ESR相对比较大，可承受比C0G要小，与此同时，由于电容量远大于C0G，故所施加的电压将远小于C0G。第yi类介质电容器的允许电压、电流与频率的关系第yi类介质电容器的允许电压、电流与频率的解读当加载频率相对较低时，即使加载交流电压为额定交流电压时，流过电容器的电流低于额定电流时，电容器允许加载额定交流电压，即左图的平直部分；当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值，这是需要降低电容器的加载交流电压，以保证流过电容器的电流不超过额定电流值，即左图的曲线开始下降部分；而加载频率继续上升，电容器的损耗因数而导致的发热则成为电容器的加载电压的主要限制因素，这是加载电压将随频率的上升而急剧下降。

    因为击穿时局部发热严重，较薄的管壁或较小的瓷体容易烧毁或断裂。此外，以二氧化钛为主的陶瓷介质中，负荷条件下还可能产生二氧化钛的还原反应，使钛离子由四价变为三价。陶瓷介质的老化显着降低了电容器的介电强度，可能引起电容器击穿。因此，这种陶瓷电容器的电解击穿现象比不含二氧化钛的陶瓷介质电容器更加严重。银离子迁移使电容器极间边缘电场发生严重畸变，又因高湿度环境中陶瓷介质表面凝有水膜，使电容器边缘表面电晕放电电压显着下降，工作条件下产生表面极间飞弧现象。严重时导致电容器表面极间飞弧击穿。表面击穿与电容结构、极间距离、负荷电压、保护层的疏水性与透湿性等因素有关。边缘表面极间飞弧击穿的主要原因是，介质留边量较小，在潮湿环境中工作时的银离子迁移和表面水膜形成使电容器边缘表面绝缘由于银离子迁移的产生与发展需要一段时间，所以在耐压试验初期，失效模式以介质击穿为主，直到试验500h以后，只要失效模式才过度为边缘表面极间飞弧击穿。4.电极材料的改进陶瓷电容器一直使用银电极。银离子迁移和由此而引起含钛陶瓷介质的加速老化是导致陶瓷电容器失效的主要原因。有的厂家生产陶瓷电容器已不用银电极，而改用镍电极。海视达_低漏电陶瓷电容器。

    坯体闭口气孔过多，若有较大气孔或层裂产生，会影响瓷体的抗电强度。（4）烧成工艺应严格控制烧成制度，采取性能优良的控温设备及导热性良好的窑具。（5）包封包封料的选择、包封工艺的控制以及瓷件表面的清洁处理等对电容器的特性影响很大。冈此，必须选择抗潮性好，与瓷体表面密切结合的、抗电强度高的包封料。目前，大多选择环氧树脂，少数产品也有选用酚醛脂进行包封的。还有采取先绝缘漆涂覆，再用酚醛树脂包封方法的，这对降低成本有一定意义。大规模生产线上多采用粉末包封技术。为提高陶瓷电容器的击穿电压，在电极与介质表面交界边缘四周涂覆一层玻璃釉，可有效地提高电视机等高压电路中使用的陶瓷电容器的耐压和高温负荷性能，如涂有一种硼硅酸铅玻璃釉，可使该电容器在直流电场下的；蕾穿电压提高；在交流电场下的击穿电压提高。[2]陶瓷电容器多层陶瓷电容器多层陶瓷电容器（MultilayerCeramicCapacitor，MLCC）是片式元件中应用*广fan的一类，它是将内电极材料与陶瓷坯体以多层交替并联叠合，并共烧成一个整体，又称片式独石电容器，具有小尺寸、高比容、高精度的特点，可贴装于印制电路板（PCB）、混合集成电路（HIC）基片，有效地缩小电子信息终端产品。安规电容器--海视达电子_专业研发_技术成熟_品质高。徐州陶瓷电容器生产商

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    使用建议在大于75℃的高温场合，应尽量少用小尺寸的铝电解电容。尽量选用容量较大的规格，发挥铝电解电容的优势。适宜用于工频的整流平滑滤波、开关电源输入滤波和低频开关电源的输出滤波等，不推荐用于高频开关电源的输出滤波。参数钽电解电容电容量限于固体烧结型工艺结构和材料，其CV值（电容与电压乘积）做不大，容量和电压有一定范围，一般从（常见的容量范围1uF～220uF）；工作电压从2V~50V（常见耐压范围为～50V）；容量的值随着频率的增大而减小，由于为固体MnO2电解质，其容量温度特性较稳定，甚至温度低到-190℃时，容量都只有10％减小量。ESRESR的温度特性比较稳定。厂家给出100KHz的ESR*大值，可以作为设计的参考，但是实际值一般比*大值小很多。ESL良好布线情况下一般为2nH左右。板上工作频率范围中低频滤波，不超过数MHz，主要为几百KHz到数MHz之间。可靠性薄弱点及其避免钽电解电容的可靠应用主要关注电压降额和电压变化速度，无法得到足够电压降额，同时上下电较快的地方建议用其他电容替代。同时边缘规格的钽电容工艺不够成熟，慎用，特别是高可靠要求场合上不宜使用。使用建议15V以上直流电压的滤波不建议使用钽电容。南阳高压取能瓷片电容器陶瓷电容器

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